張鼎張講座教授(西灣講座)

張鼎張講座教授

Ting-Chang Chang

研究室電話: 07-5252000-3715

實驗室電話: 07-5252000-3708

到職年月：1999/02

實驗室介紹網頁：半導體奈米元件及薄膜電晶體平面顯示器實驗室

Email:tcchang3708@gmail.com

學歷

● 國立交通大學電子所博士(1989-1994)

● 國立台灣大學物理所碩士(1987-1989)

● 國立台灣師範大學學士(1982-1986)

經歷

● 經濟部第四屆『國家產業創新獎』

● 2015經濟部第八屆『奈米產業科技菁英獎』

● 2015徐有庠基金會『第三屆有庠科技講座』

● 2015、2010、2007中山大學『產學傑出獎』

● 2015、2014國家奈米元件實驗室研究員及組長

● 2013、2006中山大學『學術特聘教授』

● 2012教育部『產學合作獎』

●2011中山大學『產學特聘教授』

● 2005中山大學『研究傑出獎』

● 2003中國工程師學會『傑出工程教授獎』

專長

● 奈米元件技術、半導體元件物理、薄膜電晶體平面顯示器

任教科目

● 固態物理、半導體奈米元件物理

研究方向及重點

● 半導體奈米元件與奈米技術 Semiconductor Nano-device and Nano-Technology

● 積體電路製程 ULSI Technology

● 薄膜電晶體(TFT)平面顯示器 TFT-LCD Display

● 半導體元件物理 Semiconductor Device Physics

研究計劃

(Open/Close)

● 2021 群創光電(股)公司-非晶矽薄膜電晶體於閘極驅動電路與像素陣列之靠度研究(第二期)

● 2021 台灣積體電路製造(股)公司-Performance and Reliability in Resistive Random Access Memory (ReRAM)

● 2021 台灣積體電路製造(股)公司-RTS(Random telegraph signal) property study of FinFET under over-drive condition(esp. I/O 1.8V, 2.5V and 3.3V)

● 2021 跨領域多元專長(微學程/現有學程精進)-高教深耕計畫(第四年)

● 2021 台灣積體電路製造(股)公司-Improving the Performance and Reliability of CFP DEMOS and SBD

● 2021 高價值高功率元件開發(2/2)-敦南科技

● 2021 新式超臨界流體清洗技術與相關化學品開發(2/2)-台灣明尼蘇達礦業

● 2021 工業技術研究院-超臨界流體技術改善太陽電池鈍化層薄膜品質之應用

● 2021 協力創新顧問有限公司-碳化矽元件製程與量測

● 2021 整體學術研究特色-本校與醫學機構合作計畫-中山長庚計畫-張鼎張-高教深耕計畫(第四年)

● 2021 群創光電(股)公司-超臨界流體製程技術應用於半導體電子元件(第二期)

● 2020 日月光半導體製造(股)公司-熱測試晶片之應用材料分析與晶片結構製作研究

● 2020 友達光電(股)公司-109年友達光電委託分析研究

● 2020 群創光電(股)公司-非晶矽薄膜電晶體於閘極驅動電路與像素陣列之可靠度研究

● 2020 議題導向跨領域共學群

● 2020 缺陷鈍化技術開發與物理機制研究應用於先進半導體元件

● 2020 台灣積體電路製造(股)公司-Enhance the Performance and Reliability of Ferroelectric Random Access Memory

● 2020 台灣積體電路製造(股)公司-Solving Beyond N3 Nano-pillar Pattern Collapse Issue by Advanced Low-Temp Surface Engineering Technology in Semiconductor Manufacture

● 2020 世界先進積體電路(股)公司-低溫鈍化技術應用於高電子遷移率電晶體

● 2020 新式超臨界流體清洗技術與相關化學品開發(1/2)-台灣明尼蘇達礦業

● 2020 高價值高功率元件開發(1/2)-郭南科技

● 2020 台灣積體電路製造(股)公司-Performance and reliability of FinFET under over-drive condition (esp. I/O 1.8V 2.5V and 3.3V)

● 2020 提升高教公共性-附錄1-提升經濟及文化不利學生入學機會（B1）-高教深耕計畫(第三年)

● 2020 產學傑出獎(張鼎張)

● 2020 高中種子教師培育暨多元選修課程計畫 -高教深耕計畫(第三年)

● 2020 議題導向跨領域共學群-高教深耕計畫(第三年)

● 2020 跨領域多元專長(微學程/現有學程精進)-高教深耕計畫(第三年)

● 2020 國家中山科學研究院-高壓高電流晶體閘流器之研究

● 2020 工業技術研究院-超臨界流體技術在穿隧氧化層鈍化電極太陽電池之應用

● 2019 電阻式記憶體通用性物理模型建立與高性能元件製作(3/3)

● 2018 電阻式記憶體通用性物理模型建立與高性能元件製作(2/3)

● 2017 電阻式記憶體通用性物理模型建立與高性能元件製作(1/3)

● 2017 先進電阻式記憶體(RRAM)原型組件開發

● 2017 南部科學工業園區研發精進產學合作計畫-透明可撓式觸控感應器

● 2017 工業技術研究院-鈍化層特性量測

● 2017 行政院原子能委員會核能研究所-複合型光電記憶體節能薄膜之製程開發與研究

● 2017 工業技術研究院-高透明可捲式薄膜電晶體元件可靠度及劣化行為模型建立

● 2017 工業技術研究院-低漏電與高效能深紫外光光電元件缺陷檢測與鈍化技術

● 2017 台灣積體電路製造(股)公司-Characteristic and Reliability Improvement of Resistive Random Access Memory(ReRAM)

● 2017 台灣積體電路製造(股)公司-Strain Channel Effect on Threshold Voltage Modulation,Non-ideal Impacts,and Solutions

● 2017 元件電性量測與製程技術合作研發聯盟(2/2)

● 2017 中山高雄長庚合作計畫

● 2016 南部科學工業園區研發精進產學合作計畫-整合高性能薄膜電晶體元件之高解析度穿戴顯示器

● 2016 產學合作計畫-前瞻精密薄膜電阻元件開發(1/2)

● 2016 國家實驗研究院-極高敏感度之軟性紫外光感測器

● 2016 台灣積體電路製造(股)公司-Metal Gate組成與製程開發對次世代晶體的性能可靠度影響研究

● 2016 工研院-可摺疊式LTPS-TFT應力分佈與元件劣化模型建立

● 2016 台灣積體電路製造(股)公司-ESD Performance Enhancement by Soure/Drain Engineering on RFSOI

● 2016 前瞻電阻式記憶元件製作與物理機制研究及其在仿生電子之應用(3/3)

● 2016 中山高雄大學合作計畫

期刊論文

(Open/Close)

● 本人研究成果共發表500餘篇 SCI國際期，並獲得 200餘項專利，包含中華民國專利144項 (含公開中專利17項)、美國專利72項 (含公開中專利23項)、大陸專利 30項 (含公開中專利13項)、日本專利 2項(公開中) 、歐洲專利 2項(含公開中專利1項) 、澳洲專利1項(公開中)及20項技術轉移

● 近六年 (2013-迄今) 共計發表191篇 SCI國際期刊，其中本人為通訊作者，發表國際一流期刊Materials Today 共 2 篇，Applied Physics Letters 共 51 篇，IEEE Electron Device Letter 共 50 篇

● C. Y. Lin, P. H. Chen, T. C. Chang*, K. C. Chang, S. D. Zhang, T. M. Tsai, C. H. Pan, M. C. Chen, Y. T. Su, Y. T. Tseng, Y. F. Chang, Y. C. Chen, H. C. Huang, Simon M. Sze, “Attaining Resistive Switching Characteristics and Selector Properties by Varying Forming Polarities in a Single HfO2-based RRAM Device with Vanadium Electrode”, has been accepted by Nanoscale (2017)

● Y. F. Chang, B. Fowler, Y. C. Chen, F. Zhou, C. H. Pan, T. C. Chang, J. C. Lee, “Demonstration of Synaptic Behaviors and Resistive Switching Characterizations by Proton Exchange Reactions in Silicon Oxide”, Scientific Reports, 6:21268 (2016)

● T. C. Chang*, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. J. Chu, S. M. Sze, “Resistance Random Access Memory”, Mater. Today, 19(5), 254-264 (2016)

● H. W. Liu, T. C. Chang*, J. Y. Tsai, C. E. Chen, K. J. Liu, Y. H. Lu, C. Y. Lin, T. Y. Tseng, O. Cheng, C. T. Huang, Y. H. Ye, “Trap state passivation improved hot-carrier instability by Zirconium-doping in Hafnium oxide in a nanoscale n-MOSFETs with high-k/metal gate”, Appl. Phys. Lett. 108, 173504 (2016)

● C. H. Pan, T. C. Chang*, T. M. Tsai, K. C. Chang, T. J. Chu, W. Y. Lin, M. C. Chen, S. M. Sze, “Confirmation of Filament Dissolution Behavior by Analyzing Electrical Field Effect during Reset Process in Oxide-based RRAM”, Appl. Phys. Lett. 109, 133503 (2016)

● C. H. Pan, T. C. Chang*, T. M. Tsai, K. C. Chang, P. H. Chen, S. W. Chang-Chien, M. C. Chen, H. C. Huang, H. Q. Wu, N. Deng, H. Qian, Simon M. Sze, “Engineering Interface-type Resistance Switching Based on Forming Current Compliance in ITO/Ga2O3:ITO/TiN Resistance Random Access Memory: Conduction Mechanisms, Temperature, and Electrode Influences”, Appl. Phys. Lett. 109, 183509 (2016)

● H. M. Chen, T. C. Chang*, Y. H. Tai, H. C. Chiang, K. H. Liu, M. C. Chen, C. C. Huang, C. K. Lee, “Gate insulator morphology-dependent reliability in organic thin film transistors”, IEEE Electron Device Lett., 37(2), 228-230 (2016)

● P. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, C. H. Pan, T. J. Chu, M. C. Chen, H. C. Huang, J. C. Zheng, S. M. Sze “Bulk Oxygen-Ion Storage in Indium-Tin-Oxide Electrode for Improved Performance of HfO2-Based Resistive Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett., 37(3), 280-283 (2016)

● C. E. Chen, T. C. Chang*, B. You, J. Y. Tsai, W. H. Lo, S. H. Ho, K. J. Liu, Y. H. Lu, X. W. Liu, Y. J. Hung, T. Y. Tseng, O. Cheng, C. T. Huang, C. S. Lu, “Analysis of Oxide Trap Characteristics by Random Telegraph Signals in nMOSFETs with HfO2-Based Gate Dielectrics”, IEEE Electron Device Lett., 37(4), 359-362 (2016)

● T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang*, R. Zhang, T. Wang, C. H. Pan, K. H. Chen, H. M. Chen, M. C. Chen, Y. T. Tseng, Y. C. Hung, Y. E. Syu, J. C. Zheng, J. C. Lou, S. M. Sze, “Resistive Switching Mechanism of Oxygen-rich Indium Tin Oxide Resistance Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett., 37(4), 408-411 (2016)

● P. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, C. H. Pan, C. Y. Lin, F. Y. Jin, M. C. Chen, H. C. Huang, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Improving Performance by Doping Gadolinium into the Indium-Tin-Oxide Electrode in HfO2-based Resistive Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett., 37(5), 584-587 (2016)

● B. W. Chen, T. C. Chang*, Y. J. Hung, S. P. Huang, P. Y. Liao, C. Y. Yang, A. K. Chu, Terry T. J. Wang, T. C. Chang, B. Y. Su, S. C. Kuo, I. Y. Huang, “Effects of Repetitive Mechanical Bending Strain on Various Dimensions of Foldable Low Temperature Polysilicon TFTs Fabricated on Polyimide”, IEEE Electron Device Lett., 37(8), 1010-1013 (2016)

● C. C. Shih, W. J. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, T. J. Chu, Y. T. Tseng, C. H. Wu, W. C. Su, M. C. Chen, H. C. Huang, M. H. Wang, J. H. Chen, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Ultra-low Switching Voltage Induced by Inserting SiO2 Layer in Indium-Tin-Oxide-based Resistance Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett., 37(10), 1276-1279 (2016)

● B. W. Chen, T. C. Chang*, Y. J. Hung, S. P. Huang, H. M. Chen, H. C. Huang, P. Y. Liao, H. C. Chiang, Y. Z. Zheng, W. H. Yeh, Y. H. Lin , J. S. Liang, A. K. Chu, H. W. Li, C. H. Tsai, H. H. Lu, “Effect of SiO2 Buffer Layer Thickness on Performance and Reliability of Flexible Polycrystalline Silicon TFTs Fabricated on Polyimide”, IEEE Electron Device Lett., 37(12), 1578-1581 (2016)

● P. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai*, C. H. Pan, Y. T. Su, C. H. Wu, W. C. Su, C. C. Yang, M. C. Chen, C. H. Tu, K. H. Chen, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Modifying Indium-Tin-Oxide by Gas Co-sputtering for Use as an Insulator in Resistive Random Access Memory”, IEEE Trans. Electron Devices, 63(11), 4288-4294 (2016)

● C. H. Pan, T. C. Chang*, T. M. Tsai*, K. C. Chang, T. J. Chu, C. C. Shih, C. Y. Lin, P. H. Chen, H. Q. Wu, N. Deng, H. Qian, S. M. Sze, “Ultra-Low Power Resistance Random Access Memory Device and Oxygen Accumulation Mechanism in an Indium-Tin-Oxide Electrode”, IEEE Trans. Electron Devices, 63(12), 4737-4743 (2016)

● P. H. Chen, T. C. Chang*, K. C. Chang, T. M. Tsai*, C. H. Pan, C. C. Shih, C. H. Wu, C. C. Yang, Y. T. Su, C. Y. Lin, Y. T. Tseng, M. C. Chen, R. C. Wang, C. C. Leu, K. H. Chen, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Obtaining Lower Forming Voltage and Self-compliance Current by Using a Nitride Gas/Indium-Tin-Oxide Insulator in Resistive Random Access Memory”, IEEE Trans. Electron Devices, 63(12), 4769-4775 (2016)

● K. J. Liu, T. C. Chang*, C. Y. Lin, C. E. Chen, J. Y. Tsai, Y. H. Lu, H. W. Liu, O. Cheng, C. T. Huang, “Abnormal transconductance enhancement under positive bias stress in nanoscale n-channel fin field-effect-transistors”, ECS Journal of Solid State Science and Technology , 5(6), Q155-Q159 (2016)

● C. H. Pan, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, R. Zhang, S. P. Liang, M. C. Chen, P. H. Chen, C. Y. Lin, Y. E. Syu, H. C. Huang, S. M. Sze, “Effects of Oxygen Concentration Gradient on Resistive Switching Behavior in Oxygen Vacancy-Rich Electrodes”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 5(5), Q115-Q118 (2016)

● Y. T. Su, T. C. Chang*, T. M. Tsai, K. C. Chang, T. J. Chu, H. L. Chen, M. C. Chen, C. C. Yang, H. C. Huang, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Suppression of Endurance Degradation by Applying Constant Voltage Stress in one-transistor and one-resistor resistive random access memory”, Jpn. J. Appl. Phys., 56, 010303 (2016)

● P. Y. Liao, T. C. Chang*, T. Y. Hsieh, M. Y. Tsai, B. W. Chen, A. K. Chu, C. H. Chou, J. F. Chang, “Investigating Degradation Behavior of Hole-Trapping Effect under Static and Dynamic Gate-Bias Stress in a Dual Gate a-InGaZnO Thin Film Transistor with Etch Stop Layer”, Thin Solid Films, 603, 359–362 (2016)

● P. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, C. H. Pan, C. Y. Lin, F. Y. Jin, M. C. Chen, H. C. Huang, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Effects of Erbium Doping of Indium-Tin-Oxide Electrode in Resistance Random Access Memory”, Applied Physics Express, 9, 034202 (2016)

● H. X. Zheng, T. C. Chang*, K. C. Chang, T. M. Tsai, C. C. Shih, R. Zhang, K. H. Chen, M. H. Wang, J. C. Zheng, I. Lo, C. H. Wu, Y. T. Tseng, S. M. Sze, “Complementary Resistive Switching Behavior for Conductive Bridge Random Access Memory”, Applied Physics Express, 9, 064201 (2016)

● F. Y. Jin, K. C. Chang, T. C. Chang*, T. M. Tsai, C. H. Pan, C. Y. Lin, P. H. Chen, M. C. Chen, H. C. Huang, I. Lo, J. C. Zheng, S. M. Sze, “Reducing Operation Voltages by Introducing a Low-k Switching Layer in Indium-Tin-Oxide-based Resistance Random Access Memory”, Applied Physics Express, 9, 061501 (2016)

● C. H. Pan, T. C. Chang*, T. M. Tsai, K. C. Chang, T. J. Chu, P. H. Chen, M. C. Chen, S. M. Sze, “An Adjustable Built-in Resistor on Oxygen Vacancy-Rich electrode-capped Resistance Random Access Memory”, Applied Physics Express, 9, 104201 (2016)

● P. Y. Liao, T. C. Chang*, W. C. Su, Y. J. Chen, B. W. Chen, T. Y. Hsieh, C. Y. Yang, Y. Y. Huang, H. M. Chang, S. C. Chiang, “Effect of mechanical-strain-induced defect generation on the performance of ﬂexible amorphous In–Ga–Zn–O thin-ﬁlm transistors”, Applied Physics Express, 9, 124101 (2016)

● L. Xu, Q. Chen, L. Liao,* X. Q Liu, T. C. Chang, K. C. Chang, T. M. Tsai, C. Z. Jiang, J. L. Wang, J. C. Li, “Rational Hydrogenation for Enhanced Mobility and High Reliability on ZnO-based Thin Film Transistors: From Simulation to Experiment”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 5408-5415 (2016)

● Y. Li, Y. X. Zhou, L. Xu, K. Lu, Z. R. Wang, N. Duan, L. Jiang, L. Cheng, T. C. Chang, K. C. Chang, H. J. Sun, K. H. Xue, X. S. Miao, “Realization of Functional Complete Stateful Boolean Logic in memristive crossbar”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 34559-34567 (2016)

● K. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang, T. M. Tsai, S. P. Liang, T. F. Young, Y. E. Syu, S. M. Sze, “Improvement of Bipolar Switching Properties of Gd:SiOx RRAM Devices on Indium Tin Oxide Electrode by Low-Temperature Supercritical CO2 Treatment”, Nanoscale Res. Lett., 11, 52 (2016)

● H. R. Chen, Y. C. Chen, T. C. Chang*, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. J. Chu, C. C. Shih, N. C. Chuang, K. Y. Wang, “Mechanisms of Low Temperature Nitridation Technology on TaN Thin-Film Resistor for Temperature Sensor Application”, Nanoscale Res. Lett., 11, 275 (2016)

●K. H. Chen, K. C. Chang, T. C. Chang, T. M. Tsai, K. H. Liao, Y. E. Syu, S. M. Sze, “Effect of different constant compliance current for hopping conduction distance properties of the Sn:SiOx thin film RRAM devices”, Applied Physics A-Materials Science & Processing, 122(3), 228 (2016)

● C.E. Chen, T. C. Chang*, B. You, J.Y. Tsai, W.H. Lo, S.H. Ho, K.J. Liu, Y.H. Lu, Y.J. Hung, T.Y. Tseng, J. Wu, W.K. Tsai, K.Y. Chenge, Y.E. Syu, A Method to Determine the Located Region of Lateral Trap Position by Analysis of Three-Level Random Telegraph Signals in n-MOSFETs, Ecs Solid State Letters, 4 (2015) Q47-Q49.

● J.C. Jhu, T.C. Chang, K.C. Chang, C.Y. Yang, W.C. Chou, C.H. Chou, W.C. Chung, Investigation of Hydration Reaction-Induced Protons Transport in Etching-Stop a-InGaZnO Thin-Film Transistors, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 1050-1052.

● P.Y. Liao, T.C. Chang, T.Y. Hsieh, M.Y. Tsai, B.W. Chen, Y.H. Tu, A.K. Chu, C.H. Chou, J.F. Chang, Investigation of carrier transport behavior in amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors, Japanese Journal of Applied Physics, 54 (2015).

● K.J. Liu, T.C. Chang, C.E. Chen, R.Y. Yang, J.Y. Tsai, Y.H. Lu, X.W. Liu, O. Cheng, C.T. Huang, Investigation of defect-induced abnormal body current in fin field-effect-transistors, Applied Physics Letters, 107 (2015).

● C.C. Yang, Y.K. Su, T.C. Chang, Optimum current-voltage characteristics of GaAs/AlAs intraband microwave devices, Micro & Nano Letters, 10 (2015) 472-475.

● X.W. Zhang, D. Xie, J.L. Xu, C. Zhang, Y.L. Sun, Y.F. Zhao, X. Li, X.M. Li, H.W. Zhu, H.M. Chen, T.C. Chang, Temperature-dependent electrical transport properties in graphene/Pb(Zr0.4Ti0.6)O-3 field effect transistors, Carbon, 93 (2015) 384-392.

● Y.H. Lu, T.C. Chang, S.H. Ho, C.E. Chen, J.Y. Tsai, K.J. Liu, X.W. Liu, T.Y. Tseng, O. Cheng, C.T. Huang, C.S. Lu, The Impact of Pre/Post-metal Deposition Annealing on Negative-Bias-Temperature Instability in HfO2 Stack p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, Ecs Solid State Letters, 4 (2015) Q37-Q39.

● W. Zhang, Y. Hu, T.C. Chang, K.C. Chang, T.M. Tsai, H.L. Chen, Y.T. Su, T.J. Chu, M.C. Chen, H.C. Huang, W.C. Su, J.C. Zheng, Y.C. Hung, S.M. Sze, An Electronic Synapse Device Based on Solid Electrolyte Resistive Random Access Memory, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 772-774.

● K.C. Chang, T.M. Tsai, T.C. Chang, R. Zhang, K.H. Chen, J.H. Chen, M.C. Chen, H.C. Huang, W. Zhang, C.Y. Lin, Y.T. Tseng, H.C. Lin, J.C. Zheng, S.M. Sze, Improvement of Resistive Switching Characteristic in Silicon Oxide-Based RRAM Through Hydride-Oxidation on Indium Tin Oxide Electrode by Supercritical CO2 Fluid, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 558-560.

● B.W. Chen, T.C. Chang, Y.J. Hung, T.Y. Hsieh, M.Y. Tsai, P.Y. Liao, B.Y. Chen, Y.H. Tu, Y.Y. Lin, W.W. Tsai, J.Y. Yan, Impact of repeated uniaxial mechanical strain on p-type flexible polycrystalline thin film transistors, Applied Physics Letters, 106 (2015).

● H.R. Chen, Y.C. Chen, T.C. Chang, K.C. Chang, T.M. Tsai, T.J. Chu, C.C. Shih, Y.T. Tseng, C.Y. Lin, H.C. Lin, The Manipulation of Temperature Coefficient Resistance of TaN Thin-Film Resistor by Supercritical CO2 Fluid, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 271-273.

● K.H. Chen, K.C. Chang, T.C. Chang, T.M. Tsai, K.H. Liao, Y.E. Syu, S.M. Sze, Hopping conduction properties of the Sn:SiO (X) thin-film resistance random access memory devices induced by rapid temperature annealing procedure, Applied Physics a-Materials Science & Processing, 119 (2015) 1609-1613.

● C.Y. Lin, K.C. Chang, T.C. Chang, T.M. Tsai, C.H. Pan, R. Zhang, K.H. Liu, H.M. Chen, Y.T. Tseng, Y.C. Hung, Y.E. Syu, J.C. Zheng, Y.L. Wang, W. Zhang, S.M. Sze, Effects of Varied Negative Stop Voltages on Current Self-Compliance in Indium Tin Oxide Resistance Random Access Memory, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 564-566.

● Y.T. Tseng, T.M. Tsai, T.C. Chang, C.C. Shih, K.C. Chang, R. Zhang, K.H. Chen, J.H. Chen, Y.C. Li, C.Y. Lin, Y.C. Hung, Y.E. Syu, J.C. Zheng, S.M. Sze, Complementary resistive switching behavior induced by varying forming current compliance in resistance random access memory, Applied Physics Letters, 106 (2015).

● W. Zhang, Y. Hu, T.C. Chang, T.M. Tsai, K.C. Chang, H.L. Chen, Y.T. Su, R. Zhang, Y.C. Hung, Y.E. Syu, M.C. Chen, J.C. Zheng, H.C. Lin, S.M. Sze, Mechanism of Triple Ions Effect in GeSO Resistance Random Access Memory, Ieee Electron Device Letters, 36 (2015) 552-554.

-------------------------------- 2014年發表論文共29篇 --------------------------------

● 01. X. Huang, K.C. Chang, T.C. Chang, T.M. Tsai, C.C. Shih, R. Zhang, S.Y. Huang, K.H. Chen, J.H. Chen, H.J. Wang, W.J. Chen, F.Y. Zhang, C. Chen, S.M. Sze, Controllable Set Voltage in Bilayer ZnO:SiO2/ZnOx Resistance Random Access Memory by Oxygen Concentration Gradient Manipulation, Ieee Electron Device Letters, 35 (2014) 1227-1229.

● 02. J.Y. Tsai, T.C. Chang, C.E. Chen, S.H. Ho, K.J. Liu, Y.H. Lu, X.W. Liu, T.Y. Tseng, O. Cheng, C.T. Huang, C.S. Lu, Electron-electron scattering-induced channel hot electron injection in nanoscale n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with high-k/metal gate stacks, Applied Physics Letters, 105 (2014).

● 03. L. Ji, Y. F. Chang,* B. Fowler, Y. C. Chen, T. M. Tsai, K. C. Chang, M. C. Chen, T. C. Chang, S. M. Sze, E. T. Yu, J. C. Lee, “Integrated One Diode−One Resistor Architecture in Nanopillar SiOx Resistive Switching Memory by Nanosphere Lithography”, Nano Letters, 14(2), 813-818 (2014)

● 04. K. H. Liu, T. C. Chang*, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. Y. Hsieh, M. C. Chen, B. L. Yeh, W. C. Chou, “Investigation of On-Current Degradation Behavior induced by Surface Hydrolysis Effect under Negative Gate Bias Stress in amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors”, Appl. Phys. Lett. 104, 103501 (2014)

● 05. S. H. Ho, T. C. Chang*, Y. H. Lu, C. E. Chen, J. Y. Tsai, K. J. Liu, T. Y. Tseng, O. Cheng, C. T. Huang, C. S. Lu, “Investigation of abnormal negative threshold voltage shift under positive bias stress in input/output n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with TiN/HfO2 structure using fast I-V measurement”, Appl. Phys. Lett. 104, 113503 (2014)

會議論文

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● # 本人研究成果共發表400餘篇 SCI國際期，並獲得 200餘項專利，包含 129 項中華民國專利 (含公開中專利23項)、62項美國專利 (含公開中專利 22項) 、 25項大陸專利 (含公開中專利 12項) 、 2項日本專利 (公開中) 、 2項歐洲專利 (含公開中專利 1項) 、 1項澳洲專利 (公開中) 及 11項技術轉移 ------

● -------------------- 1998年-迄今中華民國專利 --------------------

● [04] 張鼎張、施博盛、張俊彥，「一種高溫沉積之鋁閘極在非晶矽薄膜電晶體製作的方法」，中華民國專利公告號：378419、證書號：111470( 2000 )

● [01] 張鼎張、盧火鐵，「形成平坦化介電層的方法」，中華民國專利公告號：335518 、證書號：095582 ( 1998 )

● [02] 張鼎張、陳希寬、周宗賢，「摻雜氟之氧化矽薄膜之抗水性增強方法」中華民國專利公告號：368687、證書號:106427( 1999 )

專利

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本人研究成果共獲得 200餘項專利，包含中華民國專利144項 (含公開中專利17項)、美國專利72項 (含公開中專利23項)、大陸專利 30項 (含公開中專利13項)、日本專利 2項(公開中) 、歐洲專利 2項(含公開中專利1項) 、澳洲專利1項(公開中)及20項技術轉移

電阻式記憶體(RRAM)

A.中華民國專利 18 項 (含公開中專利 2項)

 張鼎張、陳敏甄、徐詠恩、張冠張、簡富彥，「電阻式記憶體結構、其操作方法及製作方法」，中華民國專利證書號：I489461 (2015)

 張鼎張、蔡宗鳴、張冠張、徐詠恩、李政樺，「具氮化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造」，中華民國專利證書號：I496146 (2015)

 張鼎張、徐詠恩、簡富彥、蔡銘進，「具二極體整流能力的電阻式記憶體」，中華民國專利證書號：I501405 (2015)

 張鼎張、蔡宗鳴、張冠張、徐詠恩、李政樺，「具二氧化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造」，中華民國專利證書號：I501234 (2015)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體及其製作方法」，中華民國專利證書號：I553636 (2016)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，中華民國專利證書號：I556245(2016)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，中華民國專利證書號：I559452(2016)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，公開編號：201614884

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、潘致宏，「電阻式記憶體及其製作方法」，公開編號：201622129

 張鼎張、張冠張、蔡志宗、鄭逸立、劉柏村，「電阻式隨機存取記憶體之介電層薄膜的製作方法」，中華民國專利證書號：I377621 (2012)

 張鼎張、楊伯鈞、林育仕、陳世青、簡富彥，「電阻式記憶體元件及其製作方法」，中華民國專利證書號：I431762 (2014)

 張鼎張、徐詠恩、蔡宗鳴、張冠張、簡富彥，「電阻式記憶體及其製作方法」，中華民國專利證書號：I430434 (2014)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，公開編號:I560918(2016)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、潘致宏，「電阻式記憶體及其製作方法」，公開編號:I565046 (2017)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、施志承、潘致宏，「電阻式記憶體」，公開編號:I564898(2017)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，公開編號:I587496(2017)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、朱天健、潘致宏，「電阻式記憶體」，公開編號：I596609(2017)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、蘇郁庭、潘致宏，「用於修復電阻式記憶體的電控裝置、方法、內儲程式之電腦程式產品及電腦可讀取紀錄媒體」，中華民國專利證書號：I603338(20170803)

B.大陸專利 3 項 (含公開中專利項)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、潘致宏、王英郎、陳科維、張世杰、孔德明，「具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器（rram）」，公開編號： CN105206743 A(2015)

 張鼎張、陳敏甄、徐詠恩、張冠張、簡富彥，「電阻式記憶體結構、其操作方法及製作方法」，公開編號：CN103682091A (2014)

 張鼎張、徐詠恩、簡富彥、蔡銘進，「具有二極體整流能力的電阻式記憶體」，公開編號：CN102867912A (2013)

C.美國專利 13 項 (含公開中專利 6 項)

 Ting-Chang Chang, Po-Chun Yang, Yu-Shih Lin, Shih-Ching Chen, Fu-Yen Jian, 「Resistance random access memory element and method for making the same」, Patent number: US 8592794 B2（2013）

 Ting-Chang Chang, Min-Chen Chen, Yong-En Syu, Kuan-Chang Chang, Fu-Yen Jian,「Resistive random access memory, controlling method and manufacturing method therefor」, Patent number: US 9159916 B2（2015）

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Chih-Hung Pan, Ying-Lang Wang, Kei-Wei Chen, Shih-Chieh Chang, Te-Ming Kung, 「Resistive random-access memory (RRAM) with multi-layer device structure」, Patent number: US 9281475 B2（2016）

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Chih-Hung Pan, 「Resistive random access memory and method for producing same」, Patent number: US 9287501 B1（2016）

 Ting-Chang Chang, Yong-En Syu, Fu-Yen Jian, Ming-Jinn Tsai, 「Resistive ram having the function of diode rectification」, Publication number: US 2013/0009124 A1（2013）

 Ting-Chang Chang, Yong-En Syu, Fu-Yen Jian, Shih-Chieh Chang, Ying-Lang Wang,「Methods and Apparatus for Resistive Random Access Memory」, Publication number: US 2013/0234094 A1（2013）

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Chih-Hung Pan, Ying-Lang Wang, Kei-Wei Chen, Shih-Chieh Chang, Te-Ming Kung,「Resistive Random-access Memory (rram) With A Low-k Porous Layer」, Publication number: US 2015/0349251 A1（2015）

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Tian-Jian Chu, Chih-Hung Pan,「Resistive Random Access Memory And Method For Producing Same」, Publication number: US 2016/0118579 A1（2016）

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Tian-Jian Chu, Chih-Hung Pan,「Resistive Random Access Memory」, Publication number: US 2016/0111640 A1（2016）

 Ting-Chang Chang, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. J. Chu, C. H. Pan, 「Resistive Random Access Memory Having Stable Forming Voltage」, Publication number: US 2016/0240777 A1（2016）

 Resistance Random Access Memory PK14433US (2018)

 PK13882USD(學校編號103075USD)「低耗電量之電阻式記憶體」Resistive random access memory with reduced power consumption Patent: 98532414B

 "Resistive Random Access Memory" Patent: US20170117466A1

 Resistive Random Access Memory And Method For Producing Same , Publication number: US 9287501 B1 (Mar. 15, 2016)

 Method for producing a thin film transistor. Publication number: US 9443965 B2 (Sep. 13, 2016)

 Ting-Chang Chang, Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Tian-Jian Chu, Chih-Hung Pan,「Resistive Random Access Memory」, Publication number: US 2016/0111640 A1（2016）

 Ting-Chang Chang, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. J. Chu, C. H. Pan, 「Resistive Random Access Memory Having Stable Forming Voltage」, Publication number: US 2016/0240777 A1（2016）

 Resistance Random Access Memory, Publication number: US 9935265 B2 (Apr. 3, 2018)

 Resistive random access memory with reduced power consumption Patent: US 9853214 B2 (Dec. 26, 2017)

 Resistive Random Access Memory having stable forming voltage. Patent: US 9711720 B2 (Jul. 18, 2017)

 Method for producing a resistive random access memory. Patent: US 9685610 B2 (Jul. 20, 2017)

 Maintaining device, maintenance method, computer program product, and computer readable medium. Patent: US 9620211 B1 (Apr. 11, 2017)

技術轉移(Transferred Technologies)共 4項

 『具二極體整流能力的電阻式記憶體結構』，工研院/技轉中心編號: 專利P28000003TW

 『多孔(Porous)層引入延伸電極結構改善電阻式記憶體切換特性之結構』，工研院/技轉中心編號: 專利P28010001TW

 『Investigation on RRAM and advanced applications on neuromorphic electronics』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T103015

 『前瞻電橋電阻式記憶體之製作方法』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T104010

薄膜電晶體(TFT)

 發明專利 (Invention Patent) 共 78 項

 中華民國專利 46項 (含公開中專利 9項)

 張鼎張、施博盛、張俊彥，「一種高溫沈積之鋁閘極在非晶矽薄膜電晶體的製程方法」，中華民國專利證書號：111470 (2000)

 張俊彥、施博盛、張鼎張、林孝義，「具有低漏電電流之電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：115818 (2000)

 張鼎張、施博盛、張俊彥，「非晶矽薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：116497 (2000)

 張鼎張、施博盛，「閘極覆蓋輕摻雜汲極之薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：116572 (2000)

 張鼎張、施博盛、張俊彥，「閘極覆蓋輕摻雜汲極之薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：117240 (2000)

 張鼎張、張俊彥、施博盛，「具有高性能與低漏電複晶矽薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：120236 (2000)

 施博盛、冉曉雯、施博盛、張鼎張、彭杜仁，「製作薄膜電晶體鋁閘極的方法」，中華民國專利證書號：122550 (2000)

 張鼎張、陳經緯、施博盛，「薄膜電晶體之結構與其製造方法」，中華民國專利證書號：122679 (2000)

 張鼎張、彭杜仁、張俊彥，「具有橫向多晶矽之薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：152448 (2000)

 張鼎張，「複晶矽薄膜電晶體之結構與製造方法」，中華民國專利證書號：152588 (2002)

 張鼎張、陳經緯，「具有較少金屬雜質的薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：170034 (2003)

 劉繼文、張鼎張、劉柏村、王英郎，「自我對準之雙閘極薄膜電晶體」，中華民國專利證書號：195449 (2004)

 張鼎張、劉柏村、陳紀文、葉柄宏、王敏全、吳興華、戴亞翔，「多晶矽薄膜的製造方法以及多晶矽薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：I228830 ( 2005)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村、甘豐源，「薄膜電晶體與其製作方法」，中華民國專利證書號：I243484 ( 2005)

 張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥、戴亞翔，「多晶矽層與多晶矽薄膜電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：I249856 ( 2006)

 梁中瑜、張鼎張、劉柏村、王敏全、陳信立、甘豐源，「薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I268620 ( 2006)

 張鼎張、陳紀文、劉柏村、王敏全、戴亞翔，「薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I270987 ( 2007)

 張鼎張、劉柏村、吳永俊，「多晶矽薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I279840 ( 2007)

 張鼎張、張大山、涂峻豪、劉柏村，「薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I299214 (2008)

 張鼎張、劉柏村、王敏全、陳紀文，「薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I302032 (2008)

 張鼎張、李泓緯、劉柏村、黃震鑠，「反堆積型薄膜電晶體」，中華民國專利證書號：I312193(2009)

 張鼎張、李泓緯、劉柏村、黃震鑠，「具有埋藏層的薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I317173 (2009)

 張鼎張、劉柏村、吳興華，「主動區組成成分濃度呈橫向漸變的薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I329363 (2010)

 張鼎張、王敏全、劉柏村、蕭任偉、劉思呈、廖瑞智，「倒置型薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I329364 (2010)

 盧浩彥、陳紀文、張鼎張，「有機發光顯示器以及其包含之畫素電路」，中華民國專利證書號：I326066 (2010)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙閘極電晶體及應用此雙閘極電晶體之畫素結構」，中華民國專利證書號：I336945 (2011)

 陳宏澤、陳麒麟、陳昱丞、陳紀文、張鼎張，「顯示器用記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法」，中華民國專利證書號：I336508 (2011)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村，「平面顯示器的畫素單元及其驅動方法」，中華民國專利證書號：I336791 (2011)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙閘極電晶體及應用此雙閘極電晶體之畫素結構」，中華民國專利證書號：I344696 (2011)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村、黃國有、彭仁杰，「薄膜電晶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I345313 (2011)

 張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥、陳緯仁，「薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法」，中華民國專利證書號：I349966 (2011)

 張鼎張、簡富彥、陳德智，「一種利用薄膜電晶體作為非揮發性記憶體之方法及其裝置」，中華民國專利證書號：I382530 (2013)

 張鼎張、陳世青、陳德智、簡富彥、徐詠恩，「一種使ＳＯＮＯＳ電晶體兼具開關以及記憶體的方法」，中華民國專利證書號：I423261 (2014)

 張鼎張、李泓緯、王敏全、曹書瑋，「倒置型薄膜電晶體製造方法及其製品」，中華民國專利證書號：I442573 (2014)

 張鼎張、陳德智、簡富彥、謝天宇，「電晶體的操作方法」，中華民國專利證書號：I458112 (2014)

 張鼎張、陳禹鈞、謝天宇、周政旭、鍾旺成、張榮芳，「光開關元件及顯示面板」，中華民國專利證書號：I514587 (2015)

 張鼎張、蔡明諺、謝天宇，「薄膜電晶體」，中華民國專利證書號：I556453 (2016)

公開中

 張鼎張、吳永俊、劉柏村、張俊彥，「薄膜電晶體及其製造方法」，公開編號：200612560

 張鼎張、王敏全、劉柏村、李亞諭、梁碩瑋、吳健為，「交錯型薄膜電晶體及其製造方法」，公開編號：200836346

 張鼎張、涂峻豪、劉柏村、冉曉雯、張俊彥，「信賴性高之薄膜電晶體的製作方法」，公開編號：200842987

 張鼎張、劉柏村、涂峻豪、馮立偉、胡志瑋、王敏全、張俊彥，「具有鈍化層的複晶矽薄膜電晶體及其製造方法」，公開編號：200843116

 張鼎張、蔡志宗、陳紀文、陳世青、陳德智，「降低薄膜電晶體之光漏電流之方法」，公開編號：201145398

 張鼎張、陳禹鈞、謝天宇、周政旭、張榮芳，「薄膜電晶體元件與薄膜電晶體顯示裝置」，公開編號：201432914

 張鼎張、蔡明諺、陳華茂、謝天宇，「薄膜電晶體製作方法」，公開編號：201620042

 張鼎張、陳華茂、蔡明諺、謝天宇，「薄膜電晶體的製作方法」，公開編號：201622156

 張鼎張、陳華茂、蔡明諺、陳敏甄，「薄膜電晶體及薄膜電晶體之製造方法」，公開編號：20167219

B.大陸專利 13 項 (含公開中專利 5項)

 張鼎張、陳世青、陳德智、簡富彥、徐詠恩，「一種使SONOS電晶體兼具開關以及記憶體的方法」，授權號： CN102054532B (2014)

 張鼎張、簡富彥、陳德智，「一種利用薄膜電晶體作為非易失性記憶體的方法及其裝置」，授權號：CN101866690B (2013)

 梁中瑜、張鼎張、劉柏村、王敏全、陳信立、甘豐源，「薄膜電晶體及其製造方法」，授權號： CN100449715C (2009)

 陳宏澤、陳麒麟、陳昱丞、陳紀文、張鼎張，「顯示器用存儲單元、圖元結構以及存儲單元的製造方法」，授權號： CN100468773C (2009)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村，「平面顯示器的像素單元及其驅動方法」，授權號：CN100433087C (2008)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村、黃國有、彭仁傑，「薄膜電晶體及其製造方法」，授權號：CN100433368C (2008)

 盧皓彥、陳紀文、張鼎張，「有機發光顯示器及其相關的圖元電路」，授權號： CN100435199C (2008)

 陳紀文、張鼎張、劉柏村、甘豐源，「薄膜電晶體與其製作方法」，授權號： CN100342552C (2007)

公開中

 楊育鑫、陳國光、石宗祥、蔡明諺、張鼎張，「薄膜晶体管及其操作方法Thin film transistor and method of operation」，公開編號：CN105428421 A (2016)

 張鼎張、陳禹鈞、謝天宇、周政旭、張榮芳，「薄膜電晶體元件與薄膜電晶體顯示裝置」，公開編號：CN103985761 A (2014)

 張鼎張、陳德智、簡富彥、謝天宇，「晶體管的操作方法」，公開編號： CN103187302A (2013)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙柵極電晶體及應用此雙柵極電晶體的圖元結構」，公開編號： CN101013725 (2007)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙柵極電晶體」，公開編號： CN1885563 (2007)

C.日本專利 1 項 (含公開中專利 0 項)

 Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, Te-Chih Chen,「Method and apparatus for using thin film transistor as nonvolatile memory」, Application Number: JP 2010245485（2010）

D.美國專利 18 項 (含公開中專利 5項)

 Ting-Chang Chang, Jing-Woei Chen, Po-Sheng Shih,「Method for fabricating a film transistor」, Patent number：US 6004836（1999）

 Chun Yen Chang, Po-Sheng Shih, Ting-Chang Chang, Hsiao-Yi Lin, Chun-Yen Chang,「Method for manufacturing a transistor having a low leakage current」, Patent number：US 6080607（2000）

 Ting-Chang Chang, Du-Zen Peng, Po-Sheng Shih, 「Method of manufacturing aluminum gate electrode」, Patent number: US 6110768 (2000)

 Ting-Chang Chang, Ching-Wei Chen,「Thin film transistor with reduced metal impurities」, Patent number：US 6399959 （2002）

 Ting-Chang Chang, Hsiao-Wen Zan, Po-Sheng Shih,「Method of forming polysilicon thin film transistor structure」, Patent number：US 6410373 （2002）

 Ting-Chang Chang, Du-Zen Peng, Chun-Yen Chang,「Method for forming thin film transistor with lateral crystallization」, Patent number：US 6426246（2002）

 Ting-Chang Chang, Hsiao-Wen Zan, Po-Sheng Shih,「Polysilicon thin film transistor structure」, Patent number：US 6486496（2002）

 Chi-Wen Liu, Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Ying-Lang Wang,「Self-aligned method for forming dual gate thin film transistor (TFT) device」, Patent number：US 6673661（2004）

 Chi-Wen Chen, Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Kuo-Yu Huang, Jen-Chien Peng,「Thin film transistor with source and drain separately formed from amorphus silicon region」, Patent number：US 7701007（2010）

 Chi-Wen Chen, Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Kuo-Yu Huang, Jen-Chien Peng,「Thin film transistor and method of manufacturing the same」, Patent number：US 7701007B2（2010）

 Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, Shih-Ching Chen,「Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory」, Patent number：US 7983092（2011）

 Ting-Chang Chang, Ming-Yen Tsai, Tian-Yu Hsieh, 「Thin film transistor」, Patent number: US 9281411 B1（2016）

 Ting-Chang Chang, Hua-Mao Chen, Ming-Yen Tsai, Tian-Yu Hsieh, 「Method For Producing A Thin Film Transistor」, Patent number: US 9443965 B2（2016）

 公開中

 Ting-Chang Chang, Ching-Wei Chen,「Method for forming thin film transistor with reduced metal impurities」, Publication number: US 2002/0192884 A1 (2002)

 Chi-Wen Chen, Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Feng-Yuan Gan,「Thin film transistor and method of making the same」, Publication number：US 2006/0124930 A1（2006）

 Ting-Chang Chang, Te-Chih Chen, Fu-Yen Jian, Tien-Yu Hsieh,「Transistor operating method」, Publication number: US 2013/0169351 A1（2013）

 Ting-Chang Chang, Yu-Chun Chen, Tien-Yu Hsieh, Cheng-Hsu Chou, Jung-Fang Chang,「Thin-film transistor device and thin-film transistor display apparatus, Publication number: US 2014/0217398 A1（2014）

 Ting-Chang Chang, Ming-Yen Tsai, Hua-Mao Chen, Tian-Yu Hsieh, 「Method for producing a thin film transistor」, Publication number: US 20160148804 A1（2016）

 Thin film transistor Patent: US 9281411 B1 (Mar. 8, 2016)

 Light sensing circuit and control method thereof. Patent: US 9647020 B2 (May 9, 2017)

技術轉移(Transferred Technologies)共 6 項

 A method for thin film transistors severed as nonvolatile memory，『一種利用薄膜電晶體作為非揮發性記憶體之方法及其裝置』，公開號：201037819，宏碁技轉編號PNAI-AQ-0034

 『金屬氧化物薄膜電晶體之電性機制研究與前瞻製程技術開發』，中山大學產學中心編號: T102008

 『金屬氧化物薄膜電晶體之閘極驅動於陣列基板技術開發』，中山大學產學中心編號: T103002

 『應用於顯示器之金屬氧化物薄膜電晶體前瞻製程技術』，中華映管公司

 『一種可撓式薄膜電晶體的改善方法』，技轉給華映，中山大學產學中心編號: T104015

 『前瞻有機薄膜電晶體製程技術開發』，技轉給華映，中山大學產學中心

場校式電晶體(MOSFET)

一、發明專利 (Invention Patent) 共 38 項

A.中華民國專利 26 項 (含公開中專利 2 項)

 張鼎張、梅玉貞、盧火鐵，「形成平坦化介電層的方法」，中華民國專利證書號：095582 (1998)

 張俊彥、施博盛、張鼎張、林孝義，「具有低漏電電流之電晶體的製造方法」，中華民國專利證書號：115818 (2000)

 張鼎張、胡榮治，「多堆疊式阻障層的製造方法與結構」，中華民國專利證書號：121653 (2000)

 張鼎張、劉柏村、施敏、潘扶民、戴寶通，「半導體元件中銅金屬連線結構及其製法」，中華民國專利證書號： 122839 (2000)

 張鼎張、胡榮治，「電漿輔助低壓化學氣相沈積疊層氮化鈦之金屬阻障層結構的方法」，中華民國專利證書號：123844 (2000)

 張鼎張、劉柏村，「具有抗金屬銅擴散能力的介電層之形成方法」，中華民國專利證書號：130203 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「介電層之製造方法」，中華民國專利證書號：130374 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「可防止水汽吸附之介電層的形成方法」，中華民國專利證書號：132347 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「介電層平坦化的方法」，中華民國專利證書號： 132987 (2001)

 張鼎張、劉柏村、楊雅喨，「一種形成擴散阻障層的方法」，中華民國專利證書號：140771 (2001)

 張鼎張、莫亦先、劉柏村，「空氣間隔壁之半導體的結構及其製造方法」，中華民國專利證書號：144230 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「未接著型介層窗的製造方法」，中華民國專利證書號： 145689 (2001)

 張鼎張、莫亦先、劉柏村，「具有空氣間隙壁之半導體的結構及其製造方法」，中華民國專利證書號： 150446 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種在去光阻製程中避免低介電常數介電層劣化的方法」，中華民國專利證書號：155920 (2002)

 張鼎張、劉柏村、蔡明蒔、呂志鵬，「選擇性化學氣相鎢插塞沉積之前置處理方法」，中華民國專利證書號： 158461 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種具有低邊穗寄生電容的金屬內連線製作方法」，中華民國專利證書號： 163764 (2002)

 張鼎張、劉柏村、許鉦宗、潘扶民、施敏，「半導體元件之雙鑲嵌結構製作方法」，中華民國專利證書號： 169484 (2003)

 劉柏村、張鼎張、潘扶民、戴寶通、林鴻志、施敏，「半導體元件之銅導線鑲嵌製程」，中華民國專利證書號： 181212 (2003)

 張鼎張、鄭晃忠、楊正杰，「形成具自我對準之金氧半電晶體之方法」，中華民國專利證書號：190716 (2003)

 張鼎張、胡榮治、李盈壕、呂志鵬，「銅電鍍液配方」，中華民國專利證書號：197638 (2004)

 張鼎張、彭杜仁、張俊彥，「低溫複晶矽製程」，中華民國專利證書號：198133 (2004)

 張鼎張、莫亦先、劉柏村，「一種製作淺溝隔離的方法」，中華民國專利證書號：I223865 (2004)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙閘極電晶體及應用此雙閘極電晶體之畫素結構」，中華民國專利證書號：I336945 (2011)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙閘極電晶體及應用此雙閘極電晶體之畫素結構」，中華民國專利證書號：I344696 (2011)

 公開

 葉文冠、張鼎張，「具有T型閘極溝槽之低電位半導體元件」，公開編號： 471176 (2002)

 鄭晃忠、楊正杰、張鼎張，「形成淺接面的方法」，公開編號：460947 (2001)

B.大陸專利 6 項 (含公開中專利 4 項)

 陳世芳、張鼎張，「功率金屬氧化物半導體場效應電晶體的製造方法」，授權號：CN100395876C (2008)

 陳世芳、張鼎張，「功率金屬氧化物半導體場效應電晶體及其製造方法」，授權號：CN100334740C (2007)

公開中

 張鼎張、陳德智、簡富彥、謝天宇，「晶體管的操作方法」，公開編號： CN103187302A (2013)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙柵極電晶體及應用此雙柵極電晶體的圖元結構」，公開編號： CN101013725 (2007)

 梁中瑜、甘豐源、張鼎張，「雙柵極電晶體」，公開編號： CN1885563 (2007)

 張鼎張、鄭晃忠、楊正傑，「形成具有自我對準的金屬氧化物半導體電晶體的方法」，公開編號： CN1450602 (2003)

C.美國專利 6 項 (含公開中專利 3 項)

 Ting-Chang Chang, Chih-Hao Dai, Fu-Yen Jian, Wen-Hung Lo, Shih-Chieh Chang, Ying-Lang Wang,「Mosfet having memory characteristics」, Patent number: US 8891299 B2（2014）

 Chung-Yu Liang, Feng-Yuan Gan, Ting-Chang Chang,「Dual-gate transistor and pixel structure using the same」, Patent number: US 8378423（2013）

 Chung-Yu Liang, Feng-Yuan Gan, Ting-Chang Chang,「Dual-gate transistor and pixel structure using the same」, Patent number：US 7982268（2011）

 公開中

 Ting-Chang Chang, Te-Chih Chen, Fu-Yen Jian, Tien-Yu Hsieh,「Transistor operating method」, Publication number: US 2013/0169351 A1（2013）

 Ting-Chang Chang, Huang-Chung Cheng, Cheng-Jer Yang, 「Method for manufacturing a self-aligned MOS transistor」, Publication number: US 2003/0082881 A1（2003）

 Ting-Chang Chang, Huang-Chung Cheng, Cheng-Jer Yang,「Method of fabricating a MOS transistor」, Publication number: US 2002/0132413 A1 (2002)

 技術轉移(Transferred Technologies)共 5 項

 『新穎金屬閘極的組成和製程之前瞻金氧半場效電晶體』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T105013

 『新穎源極/汲極結構之絕緣層上矽金氧半場效電晶體』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T105008

 『Investigation on New Fabrication Property and HCI for Advanced SOI MOSFETs』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T104008

 『The Improvement in Performance for Advanced SOI MOSFETs』，技轉給台積電，中山大學產學中心編號: T103009

 『兼具畫素開關與光偵測器功能之雙閘極電晶體以及觸控式元件之應用』，工研院/技轉中心編號: 專利P28000009TW

低介電常數薄膜(Low-k film)

 中華民國專利 15 項 (含公開中專利 0 項)

 張鼎張、梅玉貞、盧火鐵，「形成平坦化介電層的方法」，中華民國專利證書號：095582 (1998)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「低介電常數材料之後處理程序」，中華民國專利證書號：129597 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「具有抗金屬銅擴散能力的介電層之形成方法」，中華民國專利證書號：130203 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「介電層之製造方法」，中華民國專利證書號：130374 (2001)

 張鼎張、劉柏村，「有機矽類低介電常數材料之化學機械研磨平坦化方法」，中華民國專利證書號：144740 (2001)

 鄭晃忠、楊正杰、張鼎張、周立人，「低介電常數材料之製程」，中華民國專利證書號：147679 (2001)

 陳希寬、張鼎張、周宗賢、周美芬，「有機低介電常數材料之電漿後處理製程技術」，中華民國專利證書號： 148812 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種強化低介電常數材料層抵抗光阻去除液損害的方法」，中華民國專利證書號：154828 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種在去光阻製程中避免低介電常數介電層劣化的方法」，中華民國專利證書號：155920 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種避免低介電常數介電層劣化的方法」，中華民國專利證書號：158983 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種修復低介電常數材料層的方法」，中華民國專利證書號： 161300 (2002)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種具有低邊穗寄生電容的金屬內連線製作方法」，中華民國專利證書號： 163764 (2002)

 張鼎張、劉柏村、潘扶民、施敏，「增強多孔性低介電膜抗氧電漿的製程方法」，中華民國專利證書號：173293 (2003)

 張鼎張、劉柏村、施敏、潘扶民，「增進低介電常數材料特性的方法」，中華民國專利證書號：195731 (2004)

 張鼎張、劉柏村、戴亞翔，「低介電常數薄膜的圖案化方法以及雙重金屬鑲嵌結構的製造方法」，中華民國專利證書號：I220774 (2004)

B.大陸專利 7 項 (含公開中專利 2 項)

 張鼎張、劉柏村、許鉦宗，「定義低介電常數介電層的方法」，授權號：CN1257532C (2003)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種修復低介電常數材料層的方法」，授權號：CN1205654C (2003)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「避免低介電常數介電層劣化的方法」，授權號：CN1170308C (2003)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「在去光阻制程中避免低介電常數介電層劣化的方法」，授權號： CN1178276C (2003)

 張鼎張、劉柏村，「有機矽類低介電常數材料的化學機械研磨平坦化的方法」，授權號： CN1168124C (2002)

 公開中

 張鼎張、劉柏村，「低介電常數材料薄膜的製造方法」，公開編號： CN1421904 (2003)

 張鼎張、劉柏村、莫亦先，「一種強化低介電常數材料層抵抗光阻去除液損害的方法」，公開編號： CN1402315 (2003)

C.美國專利 10 項 (含公開中專利 4 項)

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Yi-Shien Mor,「Method of repairing a low dielectric constant material layer」, Patent number：US 6521547（2003）

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Yi-Shien Mor,「Method of avoiding dielectric layer deterioration with a low dielectric constant」, Patent number: US6583067 (2003)

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Jeng-Tzong Sheu,「Method of patterning dielectric layer with low dielectric constant」, Patent number：US6716741 （2004）

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Yi-Shien Mor,「Method of avoiding dielectric layer deterioation with a low dielectric constant during a stripping process」, Patent number：US6979654 （2005）

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Water Lur,「Method for improving characteristic of dielectric material」, Patent number：US 6156671 （2000）

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Yi-Shien Mor，「Method for forming a silicon dioxide-low k dielectric stack」，US 2002/0164868 A1 (2002)

 公開中

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Yi-Shien Mor,「Method of reinforcing a low dielectric constant material layer against」, Publication number: US 2003/0008516 A1 (2003)

 Huang-Chung Cheng, Cheng-Jer Yang, Ting-Chang Chang, Li-Jen Chou,「Process of forming a low dielectric constant material」, Publication number: US 2002/0072248 A1 (2002)

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method for fabricating low dielectric constant material film」, Publication number: US 2003/0040195 A1 (2003)

 Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Ya-Hsiang Tai,「Method of patterning low-k film and method of fabricating dual-damascene」, Publication number: US2005/0095839 A1 (2004)

超臨界處理(SCF Treatment)

A.中華民國專利 7 項 (含公開中專利 0 項)

 張鼎張、劉柏村、蔡志宗、王敏全，「低溫下應用超臨界流體修補矽薄膜的方法及以此方法製備薄膜電晶體的製程」，中華民國專利證書號：I308391 (2008)

 張鼎張、蔡志宗、劉柏村、陳致宏、奚鵬博、楊柏宇，「應用超臨界流體製作非揮發性記憶體的製程」，中華民國專利證書號：I355047 (2011)

 張鼎張、楊台發、張冠張，「提升超臨界流體氧化力的方法」，中華民國專利證書號：I394614 (2013)

 張鼎張、楊台發、張冠張，「腐蝕性流體處理裝置」，中華民國專利證書號：I409196 (2013)

 張鼎張、閭錦、張冠張、徐詠恩、蔡志宗、楊台發，「奈米結構的製備方法」，中華民國專利證書號：I421208 (2014)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、施志承、潘致宏，「勻相超臨界流體反應方法及裝置」，中華民國專利證書號：I586431(20171213)

 PK14758-S(學校編號106023)「以超臨界流體處理生醫材料之方法」106101013(2018)

B.美國專利 1 項 (含公開中專利項)

 張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、蘇郁庭、潘致宏，「用於修復電阻式記憶體的電控裝置、方法、內儲程式之電腦程式產品及電腦可讀取紀錄媒體」, Patent number: 9620211 B1

其他

一、發明專利 (Invention Patent) 共 84 項

A.中華民國專利 46 項 (含公開中專利 3 項)

周宗賢、張鼎張、梅玉貞、陳希寬，「摻雜氟之氧化矽薄膜之抗水性增強方法」，中華民國專利證書號：106427 (1999)

張鼎張、劉柏村，「電容器下電極的製造方法」，中華民國專利證書號： 120235 (2000)

張鼎張、鄭晃忠、楊正杰，「動態隨機存取記憶體之電容器的製造方法」，中華民國專利證書號：121010 (2000)

張鼎張、劉柏村，「增加動態隨機存取記憶體之下電極表面積的製造方法」，中華民國專利證書號：129275 (2001)

張鼎張、施博盛，「靜態隨機存取記憶體的結構及其製造方法」，中華民國專利證書號：130558 (2001)

張鼎張、楊正杰，「動態隨機存取記憶體電容器的結構及其製造方法」，中華民國專利證書號：130959 (2001)

張鼎張、劉柏村，「氫氣偵測器製作方法」，中華民國專利證書號： 156492 (2002)

張鼎張、劉柏村，「微機電零件之製造方法」，中華民國專利證書號：166574 (2002)

張鼎張、陳世芳，「靜電放電保護元件」，中華民國專利證書號：195987 (2004)

張鼎張、顏碩廷、劉柏村、陳紀文、蔡宗鳴、戴亞翔、施敏，「非揮發性記憶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I228799 ( 2005)

張鼎張、劉柏村，「發光層及其形成方法」，中華民國專利證書號：I230469 ( 2005)

張鼎張、顏碩廷、劉柏村、陳紀文、蔡宗鳴、戴亞翔、施敏，「奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I231531 ( 2005)

劉柏村、張鼎張、王敏全、顏碩廷、陳紀文、蔡宗鳴、施敏，「具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法」，中華民國專利證書號：I232582 ( 2005)

張鼎張、顏碩廷、劉柏村、施敏，「浮置閘極的製造方法與非揮發性記憶體」，中華民國專利證書號：I241690 ( 2005)

張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥，「SONOS 記憶體及其製造方法」，中華民國專利證書號：I265588 ( 2006)

張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥，「非揮發性記憶體及其電荷儲存層的結構與製造方法」，中華民國專利證書號：I268579 ( 2006)

張鼎張、劉柏村、郭原瑞、蔡美娜，「晶圓構造及其製造方法」，中華民國專利證書號：I276177 ( 2007)

陳世芳、張鼎張，「快閃記憶體元件的製造方法及其結構」，中華民國專利證書號：I276206 ( 2007)

陳世芳、張鼎張，「半導體元件的製造方法」，中華民國專利證書號：I292928 ( 2008)

張鼎張、王敏全、劉柏村、吳永俊、陳紀文、戴亞翔，「奈米生化感測元件及其製造方法」，中華民國專利證書號：I293685 (2008)

張鼎張、劉柏村、郭原瑞、蔡美娜，「晶圓構造及其製造方法」，中華民國專利證書號：I299183 (2008)

張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥，「具三元成分之電荷儲存層的非揮發性記憶體」，中華民國專利證書號：I304269 (2008)

張鼎張、劉柏村「量子結構及其形成方法」，中華民國專利證書號：I314767 (2009)

陳開煌、陳英忠、張鼎張、楊證富，「雷射退火處理方式製得的介電薄膜」，中華民國專利證書號：M359790 (2009)

張鼎張、陳開煌、陳英忠、楊證富，「反交錯型鐵電記憶體」，中華民國專利證書號：M359795 (2009)

張鼎張、陳開煌、陳英忠、楊證富，「共平面型鐵電記憶體」，中華民國專利證書號： M359796 (2009)

張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥、陳緯仁、葉睿龍，「具有奈米點之電荷儲存層的非揮發性記憶體」，中華民國專利證書號：I331806 (2010)

張鼎張、陳緯仁、謝彥廷、張俊彥，「高記憶視窗之非揮發性記憶體」，中華民國專利證書號：I351757 (2011)

張鼎張、陳世青、簡富彥，「程式化非揮發性記憶體之方法」，中華民國專利證書號：I389321 (2013)

張鼎張、陳德智、簡富彥、林佳盛，「記憶體元件之操作方法」，中華民國專利證書號：I396288 (2013)

張鼎張、楊台發、張冠張，「密封環」，中華民國專利證書號：I402443 (2013)

張鼎張、楊台發、張冠張，「腐蝕性流體處理裝置」，中華民國專利證書號：I409196 (2013)

張鼎張、簡富彥、李泓緯，「抹除非揮發性記憶體之方法」，中華民國專利證書號：I419167 (2013)

張鼎張、閭錦、張冠張、徐詠恩、蔡志宗、楊台發，「奈米結構的製備方法」，中華民國專利證書號：I421208 (2014)

張鼎張、陳世青、陳德智、簡富彥、徐詠恩，「一種使ＳＯＮＯＳ電晶體兼具開關以及記憶體的方法」，中華民國專利證書號：I423261 (2014)

蔡宗鳴、張鼎張、張冠張、徐詠恩、李政樺，「感應耦合電漿輔助蒸鍍方法及其系統」，中華民國專利證書號：I431138 (2014)

張鼎張、簡富彥、陳世青、陳德智，「記憶體元件之操作方法」，中華民國專利證書號：I442400 (2014)

蔡宗鳴、張鼎張、張冠張、徐詠恩、李政樺，「導電薄膜上形成具奈米結構ｐｎ接面及其方法」，中華民國專利證書號：I455867 (2014)

張鼎張、楊台發、張冠張、閭錦，「浮閘記憶體的製造方法」，中華民國專利證書號：I488311 (2015)

張鼎張、簡富彥、陳德智、林佳盛，「光偵測器」，中華民國專利證書號：I528576 (2016)

張鼎張、陳華茂、涂峻豪、鄭君承、劉竹育、江明峯，「光偵測器及其操作方式」，中華民國專利證書號：I555217(2016)

張鼎張、陳華茂、蔡明諺、陳敏甄，「感光電路及其控制方法」

蔡宗鳴、張鼎張、張冠張、徐詠恩、李政樺，「具奈米抗反射層之太陽能電池構造」，中華民國專利證書號：I482296 (2015)

張鼎張、陳華茂、蔡明諺、陳敏甄，「感光電路及其控制方法」，公開證號: I587699 (2017)

張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、施志承、陳柏瑋、楊崇巽，「提升紫外光發光二極體發光強度之方法及裝置」，公開證號I603649(2017)

張鼎張、張冠張、蔡宗鳴、蘇郁庭、潘致宏，「用於修復電阻式記憶體的電控裝置、方法、內儲程式之電腦程式產品及電腦可讀取紀錄媒體」，公開證號：I603338（2017）

公開中

張鼎張、涂峻豪、劉柏村、張俊彥、柳星舟，「非揮發性記憶體及其電荷儲存層的製造方法」，公開編號：200802895

謝萬燈、廖怡萱、陳世芳、張鼎張、奚鵬博、陳緯仁，「非揮發性記憶體結構及其製造方法」，公開編號： 200950003

林堅楊、張鼎張、陳聖錡，「具有鉬奈米晶體結構層的非揮發性記憶元件及其製造方法」，公開編號：201017828

B.大陸專利 7 項 (含公開中專利 1 項)

張鼎張、陳世青、陳德智、簡富彥、徐詠恩，「一種使SONOS電晶體兼具開關以及記憶體的方法」，授權號： CN102054532B (2014)

張鼎張、簡富彥、李泓緯，「抹除非揮發性記憶體的方法」，授權號：CN101930800B (2013)

張鼎張、陳世青、簡富彥，「編程非易失性記憶體的方法」，授權號： CN101630530B (2013)

陳宏澤、陳麒麟、陳昱丞、陳紀文、張鼎張，「顯示器用存儲單元、圖元結構以及存儲單元的製造方法」，授權號： CN100468773C (2009)

陳紀文、張鼎張、劉柏村，「平面顯示器的像素單元及其驅動方法」，授權號：CN100433087C (2008)

盧皓彥、陳紀文、張鼎張，「有機發光顯示器及其相關的圖元電路」，授權號： CN100435199C (2008)

公開中

張鼎張、簡富彥、陳世青、陳德智，「存储器元件的操作方法」，公開編號： CN102169724A (2011)

C.日本專利 1 項 (含公開中專利項)

Ting-Chang Chang, Shih-Ching Chen, Fu-Yen Jian,「Method for programming nonvolatile memory」, Application Number: JP2008000329424（2010）

D.歐洲專利 2 項 (含公開中專利項)

Jung-Chih Hu, Wu-Chun Gau, Ting-Chang Chang, Ming-Shiann Feng, Chun-Lin Cheng, You-Shin Lin, Ying-Hao Li, Lih-Juann Chen,「Galvanizing solution for the galvanic deposition of copper」, Patent number: EP1218569（2002）

Ting-Chang Chang, Shih-Ching Chen, Fu-Yen Jian,「Method for programming a nonvolatile memory」, Publication number: EP2144250 A1（2010）

E.澳洲專利 1 項 (含公開中專利項)

Ting-Chang Chang, Shih-Ching Chen, Fu-Yen Jian,「Method for programming nonvolatile memory」, Patent number: AU-A-2008252029（2010/01/28）

F.美國專利 27 項 (含公開中專利 4 項)

Ting-Chang Chang, Yu-Jane Mei,「Method for forming a planarized dielectric layer」, Patent number：US 5899751 （1999）

Ting-Chang Chang, Cheng-Jer Yang ,「Method of fabricating DRAM capacitor」, Patent number：US6150217(2000).

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Water Lur,「Method for improving characteristic of dielectric material」, Patent number：US 6156671 （2000）

Ting-Chang Chang, Po-Sheng Shih,「Method of fabricating static random access memory」, Patent number：US 6133084 （2000）

Chun Yen Chang, Po-Sheng Shih, Ting-Chang Chang, Hsiao-Yi Lin, Chun-Yen Chang,「Method for manufacturing a transistor having a low leakage current」, Patent number：US 6080607（2000）

Ting-Chang Chang, Du-Zen Peng, Po-Sheng Shih, 「Method of manufacturing aluminum gate electrode」, Patent number: US 6110768 (2000)

Ting-Chang Chang, Jung-Chih Hu,「Structure of stacked barrier layer」, Patent number：US 6171717 （2001）

Ting-Chang Chang, Du-Zen Peng, Chun-Yen Chang,「Low temperature polysilicon manufacturing process」, Patent number：US 6306697（2001）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method for fabricating electrode」, Patent number：US 6232198（2001）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method for increasing surface area of a bottom electrode for a DRAM」, Patent number：US 6232177（2001）

Ting-Chang Chang, Yi-Shien Mor, Po-Tsun Liu,「Air gap semiconductor structure and method of manufacture」, Patent number：US 6316347（2001）

Ting-Chang Chang, Shih-Ching Chen, Te-Chih Chen, Fu-Yen Jian, Yong-En Syu,「Method for enabling a SONOS transistor to be used as both a switch and a memory」, Patent number: US 8427879 B2（2013）

Hau-yan Lu, Chi-wen Chen, Ting-Chang Chang,「Organic light emitting diode display and related pixel circuit」, Patent number: US 8072401（2011）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Light emitting layer and forming method of the same」, Patent number：US7126150（2006）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method of forming light emitter layer」, Patent number：US7074630（2006）

Ting-Chang Chang, Yi-Shien Mor, Po-Tsun Liu,「Air gap semiconductor structure and method of manufacture」, Patent number：US 06635967（2003）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Quantum structure and forming method of the same」, Patent number：US7022571（2006）.

Ting-Chang Chang, Yi-Shien Mor, Po-Tsun Liu,「Air gap semiconductor structure and method of manufacture」, Patent number：US 06498070（2002）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, 「Method of chemical mechanical polishing organic silicon material with low」, Patent number: US 6435943 (2002)

Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, Hung-Wei Li,「Erasing method for nonvolatile memory」, Patent number：US 7869284（2011）

Ting-Chang Chang, Shih-Ching Chen, Fu-Yen Jian,「Method for programming a nonvolatile memory」, Patent number：US 7835192（2010）

張鼎張、陳華茂、蔡明諺、陳敏甄，「感光電路及其控制方法」，公開證號:9647020 B2(2017)

Ting-Chang Chang, Po-Sheng Shih,「Method of fabricating static random access memory」, Patent number：US 6133084 （2000）

公開中

Jason Chen, Ting-Chang Chang,「Method for fabricating flash memory device and structure thereof」, Publication number: US2006/0077728 A1 (2005)

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method of forming unlanded via」, Publication number: US 2002/0068437 A1 (2002)

Huang-Chung Cheng, Cheng-Jer Yang, Ting-Chang Chang, 「Method for forming shallow junction」, Publication number: US 2002/0102805 A1（2002）

Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu,「Method for manufacturing a hydrogen gas sensor」, Publication number: US 2002/0187583 A1（2002）

技術轉移(Transferred Technologies)共 3 項

A method for SONOS transistor severed as switching and memory functions，『一種使SONOS電晶體兼具開關以及記憶體的新穎方法』，宏碁技轉編號PNAI-AQ-0103

A method to erase a nonvolatile memory using body contact，『抹除非揮發性記憶體之方法』，宏碁技轉編號PNAI-AQ-0041

Method for programming a nonvolatile memory『程式化非揮發性記憶體之方法』，公開號：201003927，宏碁技轉編號 PNAI-AQ-0013

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張鼎張 講座教授(西灣講座)

張鼎張講座教授(西灣講座)